据报道，日本内存大厂尔必达近日宣布了业界首个2Gb DDR2移动内存颗粒（Mobile DRAM），该内存颗粒将主要用于高端手机、上网本和MID产品上。
新2Gb DDR2移动内存颗粒采用50nm CMOS制程工艺，数据传输速率800Mbps，由于采用了低压、低功耗技术，它的工作电压仅为1.2V，功耗是同密度、同速度的DDR2内存颗粒的1/16。
该颗粒可采用SIP系统级封装、POP层叠堆装和MCP多芯片封装三种封装方式。尔必达将于十月份推出基于该颗粒的样品颗粒，2010年下半年开始量产。
上一篇：印制电路板设计原则和抗干扰措施
下一篇日商巨资提高40纳米芯片产量
温馨提示：
凡在本公司进行电路板克隆业务的客户，必须有合法的PCB设计版权来源声明，以保护原创PCB设计版权所有者的合法权益；